反渗透是一种借助选择透过（半透过）性膜的功能，以压力为推动力的膜分离技术，膜元件由反渗透膜导流布和中心管等制作而成，将多根RO膜元件装入不锈钢耐压容器内，组成RO组件。本装置是脱盐系统的关键，成熟的工艺设计、合理的控制、操作及管理，直接决定着系统的正常、稳定运行。并关系到反渗透膜的使用寿命，经反渗透处理后的出水，去除了绝大部分无机盐和几乎所有的**物，微生物（、热源等）从而确保了本系统产品水的高质量、高品质。

　　完成预处理后的出水其出水由淤积密度指数SDI测试仪监测尊龙凯时，当SDI值4时，即可进入RO系统，由高压泵增压后进入反渗透系统，RO出水一部分（脱盐纯水）去储水箱，另一部分由管道汇集后成浓水（主要含有盐份、机械杂质、胶体、**物等）随小部分未透过水排入下水道。

　　电去离子Electrodeionization，简称EDI，又称连续电解除盐技术，它科学地将电渗析技术和离子交换技术融为一体，通过阴、阳离子的选择透过作用以及离子交换树脂对水中离子的交换作用，在电场的作用下实现水中离子的定向迁移，从而达到水的深度净化除盐，并通过水电解产生的氢离子和氢氧根离子对装填树脂进行连续再生，因此E水过程不需酸、碱化学药品再生即可连续制取高品质**纯水。

　　半导体、集成电路芯片及封装、液晶显示、高精度线路板、光电器件、各种电子器件、微电子工业、大规模、**大规模集成电路需用大量的纯水、高纯水、**纯水清洗半成品、成品。集成电路的集成度越高，线宽越窄，对水质的要求也越高。目前我国电子工业部把电子级水质技术分为五个行业等级，分别为18MΩ.cm、15MΩ.cm、10MΩ.cm、2MΩ.cm、0.5MΩ.cm，以区分不同水质。

　　二级反渗透纯水设备产水电导率≤2us/cm，主要应用于电镀行业，电子行业，餐饮行业，化工行业，制药行业，能源行业等。本司可定制250L/H~1000T/H工业纯水设备，详细请咨询在线客服。

　　二级反渗透设备又称为双级反渗透，原水加压送至预处理系统粗过滤，再进入精密过滤器过滤后尊龙凯时，通过一级高压泵加压送至一级反渗透系统，该系统产出的水再由二级高压泵加压送至二级反渗透系统，生产出产品水，称为二级反渗透。二级反渗透就是级反渗透的透过水经调整PH值后，再由*二级高压泵送进*二级反渗透系统处理，从而获得透过水的过程。

　　二级反渗透的系统脱盐率≥99.5%。这样就能使含盐量在1000ppm以下的原水，不经过离子交换直接处理水质能达到中国国家实验室用水《GB6682-2008》水标准。

　　进水要求：污染指数：5;水温：10-35；ph值：2-11；游离氯：0.1ppm；浊度：1。其产水电导率一般为5uS/cm以内，含盐量0.1㎎/L。

　　反渗透是一种借助选择透过（半透过）性膜的功能，以压力为推动力的膜分离技术，膜元件由反渗透膜导流布和中心管等制作而成，将多根RO膜元件装入不锈钢耐压容器内，组成RO组件。本装置是脱盐系统的关键，成熟的工艺设计、合理的控制、操作及管理，直接决定着系统的正常、稳定运行。并关系到反渗透膜的使用寿命，经反渗透处理后的出水，去除了绝大部分无机盐和几乎所有的**物，微生物（、热源等）从而确保了本系统产品水的高质量、高品质。

　　完成预处理后的出水其出水由淤积密度指数SDI测试仪监测，当SDI值4时，即可进入RO系统，由高压泵增压后进入反渗透系统，RO出水一部分（脱盐纯水）去储水箱，另一部分由管道汇集后成浓水（主要含有盐份、机械杂质、胶体、**物等）随小部分未透过水排入下水道。

　　6、适用于较大范围的原水水质，既适用于苦咸水、海水及污水的处理，又适用于低含盐量的淡水处理。

　　作为纯净水生产的依托是非常重要的。所以要生产纯净水一定是要选择原水水质比较好的地方。如山泉、深井等。在这里牵扯到一个非常重要的指数就是“电导率”，一般而言电导率越低，水越纯净。水处理工艺都是采用的反渗透系统，经过处理后的水一般能达到90%——99%的脱盐率；下面我介绍一下这个系统的组成部件。

　　原水泵是为原水预处理系统提供原水压力的作用。如果原水有压力就完全可以不用这个设备。一般要求原水压力=0.3MPa

　　原水箱的作用更简单，是储存原水用的。这是怕原水万一供不上作一个中转（通常添加浮球开关是整个系统自动化程度更高）。

　　采用石英砂滤料以除去原水中较大颗粒的悬浮物、泥沙、杂质等，降低水的混浊度。而且还可以使水中的**物质、、病毒等随着浊度的降低而被大量去除，并为滤后消毒创造了良好条件。

　　利用活性碳的吸附能力有效地吸附原水中的**物尊龙凯时、游离性余氯、胶体、微粒、微生物、某些金属离子及脱色等。

　　利用离子树脂的交换性能，除去原水中的钙镁离子，以达到防止后继设备结生水垢的影响，但是操作起来费工，费料。改为加药系统直接向里添加阻垢剂。

　　4、防止反渗透膜面结垢CaCO3、CaSO4、SrSO4、CaF2、SiO2、铁、铝氧化物等在膜面沉积

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